收藏本站
您好,
买卖IC网欢迎您。
请登录
免费注册
我的买卖
新采购
0
VIP会员服务
[北京]010-87982920
[深圳]0755-82701186
网站导航
发布紧急采购
IC现货
IC急购
电子元器件
搜 索
VIP会员服务
您现在的位置:
元件参数资料
>
参数目录39968
> B32520C225K FILM CAP 2.2000UF 10% 63V
型号:
B32520C225K
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
EPCOS Inc
描述:
FILM CAP 2.2000UF 10% 63V
详细参数
数值
产品分类
电容器 >> 薄膜
B32520C225K PDF
标准包装
750
系列
B32520
电容
2.2µF
额定电压 - AC
*
额定电压 - DC
*
电介质材料
聚酯,金属化
容差
±10%
ESR(等效串联电阻)
*
工作温度
-55°C ~ 125°C
安装类型
通孔
封装/外壳
径向
尺寸/尺寸
0.406" L x 0.236" W(10.30mm x 6.00mm)
高度 - 座高(最大)
0.472"(12.00mm)
端子
PC 引脚
引线间隔
0.295"(7.50mm)
特点
通用
应用
*
包装
散装
其它名称
B32520C 225K
B32520C0225K000
查看B32520C225K代理商
发布紧急采购,3分钟左右您将得到回复。
采购需求
(若只采购一条型号,填写一行即可)
发布成功!您可以继续发布采购。也可以
进入我的后台
,查看报价
发布成功!您可以继续发布采购。也可以
进入我的后台
,查看报价
*
型号
*
数量
厂商
批号
封装
添加更多采购
我的联系方式
*
*
*
快速发布
相关参数
B25620B1317K101
EPCOS Inc PEC MKP DC 310 UF 1100 V
IXTQ200N06P
IXYS MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P
MRS93-18BB
Honeywell Sensing and Control SWITCH ROCKER SPDT 12A 125V
FGA30N60LSDTU
Fairchild Semiconductor IGBT 600V 60A TO-3PN
5003.0421.1
Schurter Inc MODULE POWER ENTRY 125VDC 15A
B25620B357K881
EPCOS Inc PEC MKP DC 350 UF 880 V
AO4886
Alpha & Omega Semiconductor Inc MOSFET 2N-CH 100V 3.3A 8SOIC
NVR1P02T1G
ON Semiconductor MOSFET N-CH 20V 1A SOT-23-3
RCS1K0
Ohmite RHEOSTAT 1.0K OHM 7.5W(ENCLOSED)
EG4208
E-Switch SWITCH SLIDE 4PDT 30V RT ANGLE
FGH60N60UFDTU
Fairchild Semiconductor IGBT 120A 600V FIELD STOP TO-247
MMS22R
APEM Components, LLC SWITCH MICRO-MINI SLIDE
B32654A4225K189
EPCOS Inc FILM CAP 2.2UF 10% 400V MKP
IXTQ170N10P
IXYS MOSFET N-CH 100V 170A TO-3P
B25620B1287K102
EPCOS Inc PEC MKP DC 280 UF 1100 V
5003.0411.1
Schurter Inc MODULE POWER ENTRY 125VDC 15A
ABM8G-11.0592MHZ-4Y-T3
Abracon Corporation CRYSTAL 11.0592 MHZ 10PF SMD
5646AGKB
APEM Components, LLC SWITCH TOGGLE MINI
MRS93-13BB
Honeywell Sensing and Control SWITCH ROCKER SPDT 10A 125V
REE1R0
Ohmite RHEOSTAT 1 OHM 12.5 W